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来源:高频读写器 发布时间:2026-07-15 10:56:39
快科技7月15日音讯,据报道,SK海力士已真实开端发动面向英伟达的12层HBM4量产出货,产品进入产能爬坡阶段。 这是HBM4在全球初次完结一切质量认证,并面向英伟达下一代AI渠道Vera Rubin供货。与此前
快科技7月15日音讯,美国银行近来发布的全球存储周报显现,SK海力士至2028年实践可新增的存储芯片产能,仅为开端规划水平的六分之一。 美银预算,扣除旧厂因技能晋级封闭及制程微缩导致的产能减
快科技7月14日音讯,蓝色伟人IBM今晚暴雷,开盘后股价一度暴降25%,市值降至约2000亿美元,市值蒸腾1/4。 这也是IBM公司自从1987年以来最大单日跌幅。 这次暴雷跟公司发布的成绩低于预期有关,
尽管现在韩国在居全国之力扩展内存产值,SK海力士和三星在韩国京畿道龙仁半导体国家工业园区的新工厂也将提早一至两年投产,但韩国媒体引证美国银行剖析陈述称,关于内存扩产的数字全体上并不现
快科技7月14日音讯,力积电今天召开法说会(法人阐明会,上市公司向组织出资的人陈述成绩和展望的会议),发布第二季财报,一起走漏DRAM市场走势。 总经理朱宪国指出,DRAM供应缺口短期看不到缓解
快科技7月14日音讯,SK海力士开端为龙仁Y1工厂订货设备,计划下一年2月试生产,比原计划提早了不少。 Y1是SK海力士在龙仁打造的大规划半导体集群的第一座工厂,1期工厂由2个骨架和6个洁净室组成,
快科技7月14日音讯,微星宣告其Intel 800系列主板已全面优化支撑根据长鑫存储DRAM颗粒的DDR5内存,通过专用BIOS内存调校后,Z890主板可安稳运转DDR5-8000以上频率,掩盖从旗舰超频主板到干流四内
快科技7月14日音讯,SK海力士正在扩展铪基高k前驱体的供货商阵型,由于日本TCLC(Tri Chemical Laboratories)的中心专利本年下半年过期,新玩家总算能进场了。 铪基高k前驱体是DRAM电容器制作
快科技7月14日音讯,据美国银行最新剖析陈述,韩国总统李在明高调宣告的“2030年产能翻倍”方针面临着严峻的实际检测。 6月底,李在明宣告了一项规划高达800兆韩元的大型本钱预算,要
快科技7月13日音讯,SK海力士今天在韩国股市上暴降15.4%,创下单日最高跌幅,但是这还不算完,今晚的美国股市上盘前也暴降了10%。 SK海力士上星期五才以ADR方式正式登陆美国纳斯达克,定价149美元
快科技7月13日音讯,近来一位独立开发者打造了名为Colibri的纯C言语推理引擎,成功在仅25GB内存的消费级笔记本上运转具有7440亿参数的开源模型GLM-5.2,被誉为“极客精力的极致展现”
快科技7月13日音讯,研讨剖析师Shuli Ren近期发布陈述阐明,全球存储芯片缺少将在2026年第二季度到达极点,2027年第一季度开端回稳,最快2028年呈现产能过剩。 陈述着重,存储工业的实质并未因
快科技7月13日音讯,英特尔正以两种全新存储器架构对HBM建议夹攻。 早在本年2月,英特尔宣告与软银子公司SAIMEMORY合作开发ZAM(Z-Angle Memory)技能。项目于2026年Q1发动运营,估计2027年推出
快科技7月12日音讯,Windows 11自带的Phone Link(手机衔接)功用被曝存在长时间内存走漏问题,其后台组件Cross Device Service会继续吞噬体系内存,相关反应最早可追溯至2023年,微软至今未正式确
快科技7月12日音讯,内存提价行将满一年,全球电子工业都在叫苦,仅有赚大钱的便是内存三巨子了,最大的三星本年赢利能顶过去40年,美国的内存芯片独苗美光一年能顶20年。 美国剖析师@StockSav
快科技7月11日音讯,长鑫存储正在HBM赛道加快追逐世界巨子。现在该公司已推出HBM3样件,向华为等国内AI芯片厂商供货,正处于量产前的验证环节。 一起规划2027年完成12层HBM3E的量产。假如该计划
快科技7月11日音讯,在IEEE 2026电子元件与技能大会(ECTC)上,英特尔全面展现了下一代封装解决计划EMIB-T。 EMIB本来选用嵌入式硅桥在部分完成高密度互连,EMIB-T则在硅桥中引进硅通孔完成垂
快科技7月11日音讯,韩国和日本研讨人员在2026年IEEE/JSAP VLSI技能与电路研讨会上,一起提出了两种全新的HBM(高带宽内存)计划,中心思路惊人共同:把DRAM(动态随机存取内存)芯片竖起来放,
早在2020年由JEDEC提出的MRDIMM架构,在2026年的内存危机中展现出超强潜力,有望成为贵重的DDR6的抱负代替产品,满意现在及未来数据中心日渐增加的内存带宽需求。 MRDIMM(多通道双列直插式内存
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